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产品 数据 薄板 rev. 03 — 17 12月 2004 5 的 15
飞利浦 半导体
pesd5v0s1ba/bb/bl
低 电容 双向的 静电释放 保护 二极管
6. 特性
[1] 非-repetitive 电流 脉冲波 8/20
µ
s exponentially decaying 波形 符合 至 iec61000-4-5; 看 图示 1.
[2] measures 从 管脚 1 至 管脚 2.
表格 9: 特性
T
amb
= 25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
每 二极管
V
RWM
反转 保卫-止 电压 - - 5 V
I
RM
反转 泄漏 电流 V
RWM
= 5 v;
看
图示 6
- 5 100 nA
V
(cl)r
夹紧 电压 I
PP
= 1 一个
[1] [2]
--10v
I
PP
= 12 一个
[1] [2]
--14v
V
(br)
损坏 电压 I
R
= 1 毫安 5.5 - 9.5 V
r
dif
差别的 阻抗 I
R
= 1 毫安 - - 50
Ω
C
d
二极管 电容 V
R
= 0 v; f = 1 mhz;
看
图示 5
- 3545pF