PH20100S_集成电路资料查询网

9397 750 13698 © koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2004. 所有 权利 保留.
产品 数据 薄板 rev. 02 — 17 8月 2004 7 的 12
飞利浦 半导体
PH20100S
n-频道 trenchmos™ 标准 水平的 场效应晶体管
I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
T
j
=25
°
c; v
DS
=5V
图 9. 门-源 门槛 电压 作 一个 函数 的
接合面 温度.
图 10. sub-门槛 流 电流 作 一个 函数 的
门-源 电压.
V
GS
= 0 v; f = 1 MHz
图 11. 输入, 输出 和 反转 转移 capacitances 作 一个 函数 的 流-源 电压; 典型 值.
03aa32
0
1
2
3
4
5
-60 0 60 120 180
T
j
(
°
c)
V
gs(th)
(v)
最大值
最小值
典型值
03aa35
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
0246
V
GS
(v)
I
D
(一个)
最大值典型值最小值
003aaa411
10
2
10
3
10
4
10
-1
1 10 10
2
V
DS
(v)
C
(pf)
C
iss
C
oss
C
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9397 750 13698 © koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2004. 所有权利保留. 产品数据薄板 rev. 02 — 17 8月 2004 7 的 12 飞利浦半导体 PH20100S n-频道 trenchmos™ 标准水平的场效应晶体管 I D = 1 毫安; v DS =V GS T j =25 ° c; v DS =5V 图 9. 门-源门槛电压作一个函数的接合面温度. 图 10. sub-门槛流电流作一个函数的门-源电压. V GS = 0 v; f = 1 MHz 图 11. 输入, 输出和反转转移 capacitances 作一个函数的流-源电压; 典型值. 03aa32 0 1 2 3 4 5 -60 0 60 120 180 T j ( ° c) V gs(th) (v) 最大值最小值典型值 03aa35 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 0246 V GS (v) I D (一个) 最大值典型值最小值 003aaa411 10 2 10 3 10 4 10 -1 1 10 10 2 V DS (v) C (pf) C iss C oss C rss

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