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产品 数据 薄板 rev. 02 — 17 8月 2004 6 的 12
飞利浦 半导体
PH20100S
n-频道 trenchmos™ 标准 水平的 场效应晶体管
T
j
=25
°
CT
j
=25
°
C 和 150
°
c; v
DS
>
I
D
xR
DSon
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 流-源 电压; 典型 值.
图 6. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值.
T
j
=25
°
C
图 7. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
图 8. normalized 流-源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度.
003aaa408
0
10
20
30
40
01234
V
DS
(v)
I
D
(一个)
V
GS
= 5.5 v
4.5 v
5 v
4.8 v
5.2 v
6 v
10 v
003aaa409
0
10
20
30
40
23456
V
GS
(v)
I
D
(一个)
T
j
= 150
°
C
25
°
C
003aaa410
10
20
30
40
50
60
0 10203040
I
D
(一个)
R
DSon
(m
Ω
)
5.2 v
7 v
V
GS
= 5 v
5.5 v
10 v
6 v
03aa31
0
1
2
3
-60 0 60 120 180
T
j
(
°
c)
一个
一个
R
DSon
R
DSon 25 C
°
()
-----------------------------
=
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