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资料编号:547501
 
资料名称:PHB3N60E
 
文件大小: 79.82K
   
说明
 
介绍:
PowerMOS transistors Avalanche energy rated
 
 


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飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 php3n60e, phb3n60e
avalanche 活力 评估
机械的 数据
维度 在 mm
网 mass: 2 g
图.19. sot78 (to220ab); 管脚 2 连接 至 挂载 根基.
注释
1. 注意到 这 一般 处理 预防措施 为 静电的-释放 敏感的 设备 (esds) 至 阻止
损坏 至 mos 门 oxide.
2. 谈及 至 挂载 说明 为 sot78 (to220) envelopes.
3. 环氧的 满足 ul94 v0 在 1/8".
10,3
最大值
3,7
2,8
3,0
3,0 最大值
不 tinned
1,3
最大值
(2x)
123
2,4
0,6
4,5
最大值
5,9
最小值
15,8
最大值
1,3
2,54 2,54
0,9 最大值 (3x)
13,5
最小值
12月 1998 7 rev 1.200
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