飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 php3n60e, phb3n60e
avalanche 活力 评估
图.1. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
P
D
/p
d 25 ˚c
= f(t
mb
)
图.2. normalised 持续的 流 电流.
id% = 100
⋅
I
D
/i
d 25 ˚c
= f(t
mb
); 情况: v
GS
≥
10 v
图.3. safe 运行 范围. t
mb
= 25 ˚c
I
D
&放大; i
DM
= f(v
DS
); i
DM
单独的 脉冲波; 参数 t
p
图.4. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th j-mb
= f(t); 参数 d = t
p
/t
图.5. 典型 输出 特性
.
I
D
= f(v
DS
); 参数 v
GS
图.6. 典型 在-状态 阻抗
.
R
ds(在)
= f(i
D
); 参数 v
GS
0 20 40 60 80 100 120 140
tmb / c
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PHP2N60
1ms 1s
zth j-mb, 瞬时 热的 阻抗 (k/w)
1us
10us 100us
10ms 100ms
tp, 脉冲波 宽度 (s)
0.001
0.01
0.1
1
10
d =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
d = 0.5
0.2
单独的 脉冲波
0.05
0.02
0.1
0 20 40 60 80 100 120 140
tmb / c
ID%
normalised 电流 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 5 10 15 20 25 30
0
1
2
3
4
5
PHP2N60
vds, 流-源 电压 (伏特)
id, 流 电流 (放大器)
5.5 v
5 v
6 v
10 v
vgs = 4.5 v
tj = 25 c
10 100 1000 10000
0.1
1
10
100
PHP2N60
vds, 流-源 电压 (伏特)
id, 流 电流 (放大器)
100 美国
1 ms
10 ms
rds(在) = vds/id
100 ms
直流
tp = 10 美国
012345
0
2
4
6
8
10
PHP2N60
5 v
5.5 v
10 v
id, 流 电流 (放大器)
rds(在), 流-源 在 阻抗 (ohms)
vgs = 4.5 v
6 v
tj = 25 c
12月 1998 4 rev 1.200
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