飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 trenchmos
晶体管 php87n03lt, phb87n03lt
逻辑 水平的 场效应晶体管 PHD87N03LT
图.11. sub-门槛 流 电流.
I
D
= f(v
gs)
; 情况: t
j
= 25 ˚c; v
DS
= v
GS
图.12. 典型 capacitances, c
iss
, c
oss
, c
rss
.
c = f(v
DS
); 情况: v
GS
= 0 v; f = 1 mhz
图.13. 典型 转变-在 门-承担 特性.
V
GS
= f(q
G
)
图.14. 典型 反转 二极管 电流.
I
F
= f(v
SDS
); 情况: v
GS
= 0 v; 参数 t
j
流 电流, id (一个)
1.0e-06
1.0e-05
1.0e-04
1.0e-03
1.0e-02
1.0e-01
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
门-源 电压, vgs (v)
最小 典型 最大
vds = 5 v
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
门 承担, qg (nc)
门-源 电压, vgs (v)
id = 75a
tj = 25 c
vdd = 15 v
100
1000
10000
0.1 1 10 100
流-源 电压, vds (v)
capacitances, ciss, coss, crss (pf)
Ciss
Coss
Crss
0 0.5 1 1.5 2
0
20
40
60
80
100
9510-30
vsds / v
如果 / 一个
tj / c = 175 25
october 1999 5 rev 1.600
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