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资料编号:547558
 
资料名称:PHD87N03LT
 
文件大小: 102.5K
   
说明
 
介绍:
N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 trenchmos
晶体管 php87n03lt, phb87n03lt
逻辑 水平的 场效应晶体管 PHD87N03LT
机械的 数据
图.18. sot428 表面 挂载 包装. centre 管脚 连接 至 挂载 根基.
注释
1. 这个 产品 是 有提供的 在 反对-静态的 包装. 这 门-源 输入 必须 是 保护 相反 静态的
释放 在 运输 或者 处理.
2. 谈及 至 smd footprint 设计 和 焊接 指导原则, 数据 handbook sc18.
3. 环氧的 满足 ul94 v0 在 1/8".
REFERENCES
外形
版本
EUROPEAN
PROJECTION
公布 日期
IEC 电子元件工业联合会 EIAJ
SOT428 98-04-07
0 10 20 mm
规模
塑料 单独的-结束 表面 挂载 包装 (飞利浦 版本 的 d-pak); 3 leads
(一个 含铅的 cropped)
SOT428
E
b
2
D
1
wA
M
bc
b
1
L
1
L
13
2
D
E
1
H
E
L
2
便条
1. 量过的 从 散热器 后面的 至 含铅的.
e
1
e
一个
一个
2
一个
一个
1
y
seating 平面
挂载
根基
一个
1
(1)
D
最大值
b
D
1
最大值
E
最大值
H
E
最大值
w
y
最大值
一个
2
b
2
b
1
最大值
c
E
1
最小值
ee
1
L
1
最小值
L
2
L
一个
最大值
单位
维度 (mm 是 这 原来的 维度)
0.2 0.2
mm
2.38
2.22
0.65
0.45
0.89
0.71
0.89
0.71
1.1
0.9
5.36
5.26
0.4
0.2
6.22
5.98
4.81
4.45
2.285
4.57
10.4
9.6
0.5
0.7
0.5
6.73
6.47
4.0
2.95
2.55
october 1999 9 rev 1.600
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