飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 php2n60e, phb2n60e, phd2n60e
avalanche 活力 评估
图.7. 典型 转移 特性.
I
D
= f(v
GS
); 参数 t
j
图.8. 典型 跨导
.
g
fs
= f(i
D
); 参数 t
j
图.9. normalised 流-源 在-状态 阻抗.
一个 = r
ds(在)
/r
ds(在)25 ˚c
= f(t
j
); i
D
= 1 一个; v
GS
= 10 v
图.10. 门 门槛 电压
.
V
gs(至)
= f(t
j
); 情况: i
D
= 0.25 毫安; v
DS
= v
GS
图.11. sub-门槛 流 电流.
I
D
= f(v
gs)
; 情况: t
j
= 25 ˚c; v
DS
= v
GS
图.12. 典型 capacitances, c
iss
, c
oss
, c
rss
.
c = f(v
DS
); 情况: v
GS
= 0 v; f = 1 mhz
0246810
0
1
2
3
4
5
PHP1N60A
tj = 25 c
150 c
流 电流, id (一个)
门-源 电压, vgs (v)
vds > id x rds(在)最大值
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
tj / c
vgs(至) / v
4
3
2
1
0
最大值
典型值
最小值
012345
0
0.5
1
1.5
2
PHP1N60A
流 电流, id (一个)
跨导, gfs (s)
tj = 25 c
150 c
vds > id x rds(在)最大值
0 1 2 3 4
vgs / v
id / 一个
1e-01
1e-02
1e-03
1e-04
1e-05
1e-06
sub-门槛 传导
典型值
2 %
98 %
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
tj / c
normalised rds(在) = f(tj)
2
1
0
一个
1 10 100 1000
1
10
100
1000
PHP1N60A
流-源 电压, vds (v)
capacitances, ciss, coss, crss (pf)
Ciss
Coss
Crss
8月 1998 5 rev 1.100
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