飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 php2n60e, phb2n60e, phd2n60e
avalanche 活力 评估
图.13. 典型 转变-在 门-承担 特性.
V
GS
= f(q
G
); 参数 v
DS
图.14. 典型 切换 时间
;
t
d(在)
, t
r
, t
d(止)
, t
f
= f(r
G
)
图.15. normalised 流-源 损坏 电压
;
V
(br)dss
/v
(br)dss 25 ˚c
= f(t
j
)
图.16. 源-流 二极管 典型的.
I
F
= f(v
SDS
); 参数 t
j
图.17. 最大 容许的 非-repetitive
avalanche 电流 (i
作
) 相比 avalanche 时间 (t
p
);
unclamped inductive 加载
图.18. 最大 容许的 repetitive avalanche
电流 (i
AR
) 相比 avalanche 时间 (t
p
)
0 10203040
0
5
10
15
20
PHP1N60A
门 承担, qg (nc)
门-源 电压, vgs (伏特)
vdd = 480 v
240 v
120 v
id = 2 一个
0 0.5 1 1.5
0
2
4
6
8
10
PHP1N60A
源-流 电压, vsds (v)
源-流 二极管 电流, 如果(一个)
vgs = 0 v
150 c
tj = 25 c
0 20406080100
1
10
100
1000
tr
tf
PHP1N60A
门 阻抗, rg (ohms)
切换 时间, td(在), tr, td(止), tf (ns)
td(在)
td(止)
vdd = 300 v
rd = 150 ohms
tj = 25 c
PHP2N60E
0.1
1
10
1e-06 1e-05 1e-04 1e-03 1e-02
avalanche 时间, tp (s)
非-repetitive avalanche 电流, ias (一个)
125 c
VDS
ID
tp
tj 较早的 至 avalanche = 25 c
-100 -50 0 50 100 150
0.85
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
tj, 接合面 温度 (c)
normalised 流-源 损坏 电压
v(br)dss @ tj
v(br)dss @ 25 c
PHP2N60E
0.01
0.1
1
10
1e-06 1e-05 1e-04 1e-03 1e-02
avalanche 时间, tp (s)
最大 repetitive avalanche 电流, iar (一个)
125 c
tj 较早的 至 avalanche = 25 c
8月 1998 6 rev 1.100
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