飞利浦 半导体
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trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 02 — 11 九月 2002 2 的 14
9397 750 10159
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3. 限制的 值
表格 2: 限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流) 25
°
C
≤
T
j
≤
175
o
C - 25 V
V
DGR
流-门 电压 (直流) 25
°
C
≤
T
j
≤
175
o
c; R
GS
=20k
Ω
-25v
I
D
流 电流 (直流) T
mb
=25
°
c; v
GS
=5v;图示 2 和 3 -75a
T
mb
= 100
°
c; v
GS
=5v;图示 2 和 3 -60a
V
GS
门-源 电压 -
±
20 V
I
DM
顶峰 流 电流 T
mb
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s; 图示 3 - 108 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
=25
°
c; 图示 1 - 180 W
T
stg
存储 温度
−
55 +175
°
C
T
j
接合面 温度
−
55 +175
°
C
源-流 二极管
I
S
源 (二极管 向前) 电流 (直流) T
mb
=25
°
C - 75 一个
I
SM
顶峰 源 (二极管 向前) 电流 T
mb
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s - 108 一个
avalanche 强壮
E
ds(al)s
非-repetitive 流-源
avalanche 活力
unclamped inductive 加载; i
D
=43a;
t
p
= 0.25 ms; v
DD
≤
15 v; r
GS
=50
Ω
;
V
GS
= 10 v; 开始 t
j
=25
°
C
- 180 mJ