飞利浦 半导体
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trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 02 — 11 九月 2002 6 的 14
9397 750 10159
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T
j
=25
°
CT
j
=25
°
C 和 175
°
c; v
DS
>
I
D
×
R
DSon
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 流-源 电压; 典型 值.
图 6. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值.
T
j
=25
°
C
图 7. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
图 8. normalized 流 源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度.
003aaa192
0
10
20
30
40
0 0.5 1 1.5 2
V
DS
(v)
I
D
(一个)
2.4 v
3 v
2.8 v
2.6 v
10 v
2.2 v
4 v
3.5 v
5 v
003aaa193
0
10
20
30
40
1234
V
GS
(v)
I
D
(一个)
V
DS
> i
D
x r
DSon
T
j
= 175
°
C 25
°
C
003aaa194
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0 5 10 15 20
I
D
(一个)
R
DSon
(
Ω
)
V
GS
= 2.8 v
3.5 v
2.6 v
3 v
5 v
10 v
03aa27
0
0.5
1
1.5
2
-60 0 60 120 180
T
j
(
°
c)
一个
一个
R
DSon
R
DSon 25
°
C
()
------------------------------
=