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飞利浦 半导体
PHKD6N02LT
双 trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 02 — 12 8月 2003 4 的 12
9397 750 10688
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2003. 所有 权利 保留.
8. 热的 特性
8.1 瞬时 热的 阻抗
表格 5: 热的 特性
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
R
th(j-sp)
热的 阻抗 从 接合面 至 焊盘 要点 图示 4 --30k/w
R
th(j-一个)
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 最小 footprint;
挂载 在 打印-电路 板
- 70 - k/w
图 4. 瞬时 热的 阻抗 从 接合面 至 焊盘 要点 作 一个 函数 的 脉冲波 持续时间.
003aaa301
10
-1
1
10
10
2
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1 10
t
p
(s)
Z
th(j-sp)
(k/w)
单独的 脉冲波
0.05
0.1
0.2
0.02
δ
= 0.5
t
p
t
p
T
P
t
T
δ
=

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飞利浦半导体 PHKD6N02LT 双 trenchmos™ 逻辑水平的场效应晶体管产品数据 rev. 02 — 12 8月 2003 4 的 12 9397 750 10688 © koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2003. 所有权利保留. 8. 热的特性 8.1 瞬时热的阻抗表格 5: 热的特性标识参数情况最小值 Typ 最大值单位 R th(j-sp) 热的阻抗从接合面至焊盘要点图示 4 --30k/w R th(j-一个) 热的阻抗从接合面至包围的最小 footprint; 挂载在打印-电路板 - 70 - k/w 图 4. 瞬时热的阻抗从接合面至焊盘要点作一个函数的脉冲波持续时间. 003aaa301 10 -1 1 10 10 2 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 t p (s) Z th(j-sp) (k/w) 单独的脉冲波 0.05 0.1 0.2 0.02 δ = 0.5 t p t p T P t T δ =

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