飞利浦 半导体
PHKD6N02LT
双 trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 02 — 12 8月 2003 6 的 12
9397 750 10688
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2003. 所有 权利 保留.
T
j
=25
°
CT
j
=25
°
C 和 150
°
c; v
DS
>
I
D
×
R
DSon
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 流-源 电压; 典型 值.
图 6. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值.
T
j
=25
°
C
图 7. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
图 8. normalized 流 源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度.
003aaa302
0
2
4
6
8
10
0
0.5 1 1.5
2
V
DS
(v)
I
D
(一个)
1.5 v
1.8 v
1.6 v
1.7 v
1.9 v
V
GS
= 2 v
2.1 v
4.5 v
003aaa303
0
2
4
6
8
0123
V
GS
(v)
I
D
(一个)
25
°
C
T
j
= 150
°
C
003aaa304
0
25
50
75
100
0246810
I
D
(一个)
R
DSon
(m
Ω
)
V
GS
= 4.5 v
2.0 v
2.1 v
2.2 v
2.5 v
1.9 v1.8 v1.7 v
03aa27
0
0.5
1
1.5
2
-60 0 60 120 180
T
j
(
°
c)
一个
一个
R
DSon
R
DSon 25
°
C
()
------------------------------
=