飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 PHT6N06T
标准 水平的 场效应晶体管
图.13. 典型 转变-在 门-承担 特性.
V
GS
= f(q
G
); 情况: i
D
= 5 一个; 参数 v
DS
图.14. 典型 反转 二极管 电流.
I
F
= f(v
SDS
); 情况: v
GS
= 0 v; 参数 t
j
图.15. normalised avalanche 活力 比率.
W
DSS
% = f(t
sp
); 情况: i
D
= 1.9 一个
图.16. avalanche 活力 测试 电路.
图.17. 切换 测试 电路.
01234567
0
2
4
6
8
10
12
vgs/v
qg/nc
vds = 14v vds = 44v
20 40 60 80 100 120 140
tmb / c
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
0
2
4
6
8
10
如果/一个
vsds/v
tj/c = 150 25
L
t.u.t.
VDD
RGS
r 01
VDS
-id/100
+
-
调往
VGS
0
W
DSS
=
0.5
⋅
LI
D
2
⋅
BV
DSS
/(
BV
DSS
−
V
DD
)
RD
t.u.t.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
九月 1997 6 rev 1.000
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