飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 PHT6N06T
标准 水平的 场效应晶体管
图.7. 典型 转移 特性.
I
D
= f(v
GS
)
; 情况: v
DS
= 25 v; 参数 t
j
图.8. 典型 跨导, t
j
= 25 ˚c
.
g
fs
= f(i
D
); 情况: v
DS
= 25 v
图.9. normalised 流-源 在-状态 阻抗.
一个 = r
ds(在)
/r
ds(在)25 ˚c
= f(t
j
); i
D
= 5 一个; v
GS
= 10 v
图.10. 门 门槛 电压.
V
gs(至)
= f(t
j
); 情况: i
D
= 1 毫安; v
DS
= v
GS
图.11. sub-门槛 流 电流.
I
D
= f(v
gs)
; 情况: t
j
= 25 ˚c; v
DS
= v
GS
图.12. 典型 capacitances, c
iss
, c
oss
, c
rss
.
c = f(v
DS
); 情况: v
GS
= 0 v; f = 1 mhz
012345678
0
2
4
6
8
10
id/一个
vgs/v
tj/c = 150 25
buk78xx-55
-100 -50 0 50 100 150 200
0
1
2
3
4
5
tj / c
vgs(至) / v
最大值
典型值
最小值
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
12345678910
gfs/s
id/一个
012345
1e-06
1e-05
1e-04
1e-03
1e-02
1e-01
sub-门槛 传导
典型值
2%
98%
buk98xx-55
-100 -50 0 50 100 150 200
0.5
1
1.5
2
2.5
tmb / degc
rds(在) normalised 至 25degc
一个
0.01 0.1 1 10 100
0
50
100
150
200
250
300
350
Ciss
Coss
Crss
vds/v
pF
九月 1997 5 rev 1.000
: 点此下载
