sep.1998
温度 保护 电路.
这 在 温度 函数 pro-
vides 有效的 保护 相反
overloads 和 冷却 系统 失败-
ures 在 大多数 产品. 不管怎样,
它 做 不 保证 那 这 maxi-
mum 接合面 温度 比率 的
这 igbt 碎片 将 从不 是 ex-
ceeded. 在 具体情况 的 abnormally
高 losses 此类 作 失败 的 这
系统 控制 至 合适的 regu-
late 电流 或者 excessively 高
切换 频率 它 是 可能
为 igbt 碎片 至 超过 t
j(最大值)
是-
fore 这 根基 加设护板 reaches 这 ot
trip 水平的.
提醒:
tripping 的 这 在-温度
保护 是 一个 indication 的 压力-
ful 运作. repetitive tripping
应当 是 避免.
6.4.4 在-电流 保护
这 ipm 使用 电流 sense igbt
碎片 至 continuously 监控
电源 设备 电流. 如果 这 电流
though 这 intelligent 电源 mod-
ule 超过 这 指定
overcurrent trip 水平的 (oc) 为 一个 pe-
riod 变长 比 t
止(oc)
这 ipms
内部的 控制 电路 将 保护
这 电源 设备 用 disabling 这
门 驱动 和 generating 一个 故障
输出 信号. 这 定时 的 这
在-电流 保护 是 显示 在
图示 6.17. 这 t
止(oc)
延迟 是
执行 在 顺序 至 避免 trip-
ping 的 这 oc 保护 在 短的
脉冲 的 电流 在之上 这 oc
水平的 那 是 不 有危险的 为 这
电源 设备. 当 一个 在-cur-
rent 是 发现 一个 控制 shut-
向下 是 initiated 和 一个 故障 输出
是 发生. 这 控制 shut-
向下 lowers 这 转变-止 di/dt 这个
helps 至 控制 瞬时 电压
那 能 出现 在
shut 向下 从 高 故障 电流.
大多数 intelligent modules 使用 这
二 步伐 关闭 depicted 在 图-
ure 6.17. 在 这 二 步伐 关闭,
这 门 电压 是 减少 至 一个
intermediate 电压 造成 这
电流 通过 这 设备 至 漏出
慢速地 至 一个 低 水平的. 然后, 关于
5
µ
s 后来的, 这 门 电压 是 re-
duced 至 零 完成 这 shut
向下. 一些 的 这 大 六 和
七 包装 ipms 使用 一个 起作用的
ramp 的 门 电压 至 达到 这
desired 减少 在 转变 止 di/dt
下面 高 故障 电流. 这 oscil-
lographs 在 图示 6.18 illustrate
图示 6.15 运作 的 下面-电压 lockout
INPUT
信号
根基 plate
TEMPERATURE
(tb)
故障 output
CURRENT
(i
FO
)
INTERNAL
GATE
VOLTAGE
V
GE
OT
OT
r
图示 6.16 运作 的 在-温度
INPUT
信号
CONTROL
SUPPLY
电压
FAULT
OUTPUT
CURRENT
(i
FO
)
INTERNAL
GATE
VOLTAGE
V
GE
控制 供应 在 短的
GLITCH
IGNORED
电源 supply
故障 和
恢复
控制 供应 止
UV
r
UV
t
t
FO
t
dUV
t
FO
t
dUV
mitsubishi 半导体 电源 modules mos
使用 intelligent 电源 modules
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