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产品 数据 薄板 rev. 01 — 4 april 2005 3 的 10
飞利浦 半导体
PMEG3015EV
30 v, 1.5 一个 过激 低 v
F
mega 肖特基 屏障 rectifier
5. 限制的 值
[1] 为 sot666 仅有的 有效的, 如果 管脚 3 和 4 是 连接 在 并行的.
[2] 设备 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板 (pcb), 单独的-sided 铜, tin-plated 和 标准
footprint.
[3] 设备 挂载 在 一个 fr4 pcb, 单独的-sided 铜, tin-镀有 和 挂载 垫子 为 cathode 1 cm
2
.
6. 热的 特性
[1] 为 肖特基 屏障 二极管 热的 run-away 有 至 是 考虑, 作 在 一些 产品 这 反转
电源 losses p
R
是 一个 significant 部分 的 这 总的 电源 losses. nomograms 为 determining 这 反转
电源 losses p
R
和 i
f(av)
比率 将 是 有 在 要求.
[2] reflow 焊接 是 这 仅有的 推荐 焊接 方法.
[3] 设备 挂载 在 一个 fr4 pcb, 单独的-sided 铜, tin-镀有 和 标准 footprint.
[4] 设备 挂载 在 一个 fr4 pcb, 单独的-sided 铜, tin-镀有 和 挂载 垫子 为 cathode 1 cm
2
.
表格 5: 限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
R
反转 电压 - 30 V
I
F
向前 电流 T
sp
≤
55
°
C - 1.5 一个
I
FRM
repetitive 顶峰 向前 电流 t
p
≤
1 ms;
δ≤
0.25
[1]
- 4.5 一个
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前
电流
t
p
= 8 ms; 正方形的
波
[1]
- 9.5 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
≤
25
°
C
[2]
- 0.31 W
[3]
- 0.58 W
T
j
接合面 温度 - 150
°
C
T
amb
包围的 温度
−
65 +150
°
C
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
表格 6: 热的 特性
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
R
th(j-一个)
热的 阻抗 从 接合面
至 包围的
在 自由 空气
[1] [2]
[3]
- - 405 k/w
[4]
- - 215 k/w
R
th(j-sp)
热的 阻抗 从 接合面
至 焊盘 要点
--80k/w
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