PMEG3015EV_集成电路资料查询网

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产品 数据 薄板 rev. 01 — 4 april 2005 7 的 10
飞利浦 半导体
PMEG3015EV
30 v, 1.5 一个 过激 低 v
F
mega 肖特基 屏障 rectiﬁer
10. 焊接
reﬂow 焊接 是 这 仅有的 推荐 焊接 方法.
维度 在 mm
图 5. reﬂow 焊接 footprint sot666
oi1 = 2.750 oa
oi = 2.450 oa
pi = 2.100
w = 0.300 cu (2x)
w/2 = 0.150 cu (4x)
wt = 0.375 cu (4x)
pw = 0.400 (6x)
ow1 = 0.550 oa (2x)
焊盘 lands
0.075
焊盘 resist
occupied 范围
placement 范围
MSD779
obl = pbl = 1.600OA
lb = 1.200CU
la = 2.200 cu
la1 = 2.500 cu
obw = pbw = 2.000 oa
ow = 1.700 oa
e = 1.000

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9397 750 14638 © koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2005. 所有权利保留. 产品数据薄板 rev. 01 — 4 april 2005 7 的 10 飞利浦半导体 PMEG3015EV 30 v, 1.5 一个过激低 v F mega 肖特基屏障 rectiﬁer 10. 焊接 reﬂow 焊接是这仅有的推荐焊接方法. 维度在 mm 图 5. reﬂow 焊接 footprint sot666 oi1 = 2.750 oa oi = 2.450 oa pi = 2.100 w = 0.300 cu (2x) w/2 = 0.150 cu (4x) wt = 0.375 cu (4x) pw = 0.400 (6x) ow1 = 0.550 oa (2x) 焊盘 lands 0.075 焊盘 resist occupied 范围 placement 范围 MSD779 obl = pbl = 1.600OA lb = 1.200CU la = 2.200 cu la1 = 2.500 cu obw = pbw = 2.000 oa ow = 1.700 oa e = 1.000

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