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资料编号:552467
 
资料名称:PMV31XN
 
文件大小: 241.13K
   
说明
 
介绍:
UTrenchMOS extremely low level FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
PMV31XN
µ
trenchmos™ 极其 低 水平的 场效应晶体管
rev. 01 — 26 二月 2003 产品 数据
1. 描述
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管 在 一个 塑料 包装 使用
trenchmos™ 技术.
产品 有效性:
pmv31xn 在 sot23.
2. 特性
trenchmos™ 技术
非常 快 切换
低 门槛 电压
表面 挂载 包装.
3. 产品
电池 powered 发动机 控制
高-速 转变 在 设置 顶 盒 电源 供应.
4. 固定 信息
表格 1: 固定 - sot23, simplified 外形 和 标识
管脚 描述 simplified 外形 标识
1 门 (g)
SOT23
2 源 (s)
3 流 (d)
MSB003
顶 视图
12
3
s
d
g
MBB076
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