飞利浦 半导体
PMV31XN
µ
trenchmos™ 极其 低 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 01 — 26 二月 2003 5 的 12
9397 750 11066
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8. 特性
表格 5: 特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的 特性
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 I
D
= 250
µ
一个; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C 20--v
T
j
=
−
55
°
C 18--v
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
; 图示 9
T
j
=25
°
C 0.5 - 1.5 V
T
j
= 150
°
C 0.35 - - V
T
j
=
−
55
°
C - - 1.8 V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
=20v; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C --1
µ
一个
T
j
= 150
°
C - - 100
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
12 v; v
DS
= 0 V - 10 100 nA
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
= 4.5 v; i
D
= 1.5 一个; 图示 7 和 8 - 3137m
Ω
V
GS
= 2.5 v; i
D
=1a;图示 7 和 8 - 4453m
Ω
动态 特性
Q
g(tot)
总的 门 承担 V
DD
=10v; v
GS
= 4.5 v; i
D
=6a;图示 13 - 5.8 - nC
Q
gs
门-源 承担 - 1.4 - nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 1.7 - nC
C
iss
输入 电容 V
GS
=0v; v
DS
= 20 v; f = 1 mhz; 图示 11 - 410 - pF
C
oss
输出 电容 - 115 - pF
C
rss
反转 转移 电容 - 80 - pF
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
DD
=10v; r
D
=10
Ω
; v
GS
= 4.5 v; r
G
=6
Ω
-10-ns
t
r
上升 时间 -15-ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 25 - ns
t
f
下降 时间 -12-ns
源-流 二极管
V
SD
源-流 (二极管 向前) 电压 I
S
= 1.5 一个; v
GS
=0v;图示 12 - 0.75 1.2 V