飞利浦 半导体
psmn004-60p/60b
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
产品 数据 rev. 01 — 26 april 2002 3 的 13
9397 750 09156
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图 1. normalized 总的 电源 消耗 作 一个
函数 的 挂载 根基 温度.
图 2. normalized 持续的 流 电流 作 一个
函数 的 挂载 根基 温度.
T
mb
=25
°
c; i
DM
是 单独的 脉冲波.
图 3. safe 运行 范围; 持续的 和 顶峰 流 电流 作 一个 函数 的 流-源 电压.
03aa16
0
40
80
120
0 50 100 150 200
T
mb
(c)
P
der
(%)
03ah79
0
20
40
60
80
100
120
0 30 60 90 120 150 180
T
mb
(ºc)
I
der
(%)
P
der
P
tot
P
tot 25 C
°
()
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D
I
D25C
°
()
-------------------
100
%
×
=
03ah81
1
10
10
2
10
3
1 10 10
2
V
DS
(v)
I
D
(一个)
直流
100 ms
10 ms
限制 r
DSon
= v
DS
/i
D
1 ms
t
p
= 10 µs
100 µs
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