飞利浦 半导体
psmn004-60p/60b
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
产品 数据 rev. 01 — 26 april 2002 6 的 13
9397 750 09156
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T
j
=25
°
CT
j
=25
°
C 和 175
°
c; v
DS
>i
D
x r
DSon
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 流-源 电压; 典型 值.
图 6. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值.
T
j
=25
°
C
图 7. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
图 8. normalized 流-源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度.
03ah82
0
100
200
300
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
V
DS
(v)
I
D
(一个)
5.5 v
6 v
T
j
= 25 ºc
20V
5 v
6.5 v
8 v
7.5 v
10 v
7 v
V
GS
= 4.5 v
03ah84
0
20
40
60
80
100
0123456
V
GS
(v)
I
D
(一个)
V
DS
> i
D
x r
DSon
T
j
= 175 ºc
25 ºc
o3ah83
0
0.005
0.01
0.015
0 100 200 300
I
D
(一个)
R
DSon
(
Ω
)
V
GS
= 20 v
T
j
= 25 c
7 v8 v
6.5 v
5.5 v
6 v
5 v
10 v
!== &放大;
0
0.6
1.2
1.8
2.4
-60 0
60
120
180
一个
T
j
(
°
c)
一个
R
DSon
R
DSon 25 C
°
()
-----------------------------
=
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