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2003 Oct 08 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn/npn 电阻-配备 晶体管;
r1 = 22 k
Ω
, r2 = 22 k
Ω
pemh1; pumh1
热的 特性
注释
1. 设备 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板, 单独的-sided 铜, 标准 footprint.
2. 软熔焊接 焊接 是 这 仅有的 推荐 焊接 方法.
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 情况 值 单位
每 晶体管
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 T
amb
≤
25
°
C
SOT363 便条 1 625 k/w
SOT666 注释 1 和 2 625 k/w
每 设备
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 T
amb
≤
25
°
C
SOT363 便条 1 416 k/w
SOT666 注释 1 和 2 416 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级-根基 截-止 电流 V
CB
=50v; i
E
=0
−−
100 nA
I
CEO
集电级-发射级 截-止 电流 V
CE
=30v; i
B
=0
−−
1
µ
一个
V
CE
=30v; i
B
= 0; t
j
= 150
°
C
−−
50
µ
一个
I
EBO
发射级-根基 截-止 电流 V
EB
=5v; i
C
=0
−−
180
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=5v; i
C
= 5 毫安 60
−−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 10 毫安; i
B
= 0.5 毫安
−−
150 mV
V
i(止)
输入-止 电压 I
C
= 100
µ
一个; v
CE
=5V
−
1.1 0.8 V
V
i(在)
输入-在 电压 I
C
= 5 毫安; v
CE
= 0.3 V 2.5 1.7
−
V
R1 输入 电阻 15.4 22 28.6 k
Ω
电阻 比率 0.8 1 1.2
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
= 10 v; f = 1 MHz 2.5 pF
R2
R1
--------

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2003 Oct 08 4 飞利浦半导体产品规格 npn/npn 电阻-配备晶体管; r1 = 22 k Ω , r2 = 22 k Ω pemh1; pumh1 热的特性注释 1. 设备挂载在一个 fr4 打印-电路板, 单独的-sided 铜, 标准 footprint. 2. 软熔焊接焊接是这仅有的推荐焊接方法. 特性 T amb =25 ° c 除非否则 speciﬁed. 标识参数情况值单位每晶体管 R th j-一个热的阻抗从接合面至包围的 T amb ≤ 25 ° C SOT363 便条 1 625 k/w SOT666 注释 1 和 2 625 k/w 每设备 R th j-一个热的阻抗从接合面至包围的 T amb ≤ 25 ° C SOT363 便条 1 416 k/w SOT666 注释 1 和 2 416 k/w 标识参数情况最小值典型值最大值单位 I CBO 集电级-根基截-止电流 V CB =50v; i E =0 −− 100 nA I CEO 集电级-发射级截-止电流 V CE =30v; i B =0 −− 1 µ 一个 V CE =30v; i B = 0; t j = 150 ° C −− 50 µ 一个 I EBO 发射级-根基截-止电流 V EB =5v; i C =0 −− 180 µ 一个 h FE 直流电流增益 V CE =5v; i C = 5 毫安 60 −− V CEsat 集电级-发射级饱和电压 I C = 10 毫安; i B = 0.5 毫安 −− 150 mV V i(止) 输入-止电压 I C = 100 µ 一个; v CE =5V − 1.1 0.8 V V i(在) 输入-在电压 I C = 5 毫安; v CE = 0.3 V 2.5 1.7 − V R1 输入电阻 15.4 22 28.6 k Ω 电阻比率 0.8 1 1.2 C c 集电级电容 I E =i e = 0; v CB = 10 v; f = 1 MHz 2.5 pF R2 R1 --------

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