热的 数据
R
thj-amb
•
热的 阻抗 接合面-包围的 最大值 125
o
c/w
•
设备 挂载 在 一个 pcb 的 1 cm
2
电的 特性
(t
情况
= 25
o
c 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CEX
集电级 截-止
电流 (v
是
= 3 v)
V
CE
= -30 v -50 nA
I
BEX
集电级 截-止
电流 (v
是
= 3 v)
V
CE
= -30 v -50 nA
V
(br)ceo
∗
集电级-发射级
损坏 电压
(i
B
= 0)
I
C
= -1 毫安 -40 V
V
(br)cbo
集电级-根基
损坏 电压
(i
E
= 0)
I
C
= -10
µ
一个
-60 V
V
(br)ebo
发射级-根基
损坏 电压
(i
C
= 0)
I
E
= -10
µ
一个
-6 V
V
ce(sat)
∗
集电级-发射级
饱和 电压
I
C
= -10 毫安 i
B
= -1 毫安
I
C
= -50 毫安 i
B
= -5 毫安
-0.25
-0.4
V
V
V
是(sat)
∗
根基-发射级
饱和 电压
I
C
= -10 毫安 i
B
= -1 毫安
I
C
= -50 毫安 i
B
= -5 毫安 -0.65
-0.85
-0.95
V
V
h
FE
∗
直流 电流 增益 I
C
= -0.1 毫安 v
CE
= -1 v
I
C
= -1 毫安 v
CE
= -1 v
I
C
= -10 毫安 v
CE
= -1 v
I
C
= -50 毫安 v
CE
= -1 v
I
C
= -100 毫安 v
CE
= -1 v
60
80
100
60
30
300
f
T
转变 频率 I
C
= -10ma v
CE
= -20 v f = 100mhz 250 MHz
NF 噪音 图示 V
CE
= -5 v i
C
= -0.1 毫安 f = 10 hz
至 15.7 khz r
G
= 1 k
Ω
4dB
C
CBO
集电级-根基
电容
I
E
= 0 v
CB
= -5 v f = 100 khz 6 pF
C
EBO
发射级-根基
电容
I
C
= 0 v
EB
= -0.5 v f = 100 khz 25 pF
t
d
延迟 时间 I
C
= -10 毫安 i
B
= -1 毫安
V
CC
= -3v
35 ns
t
r
上升 时间 35 ns
t
s
存储 时间 I
C
= -10 毫安 i
B1
= -i
B2
= -1 毫安
V
CC
= -3v
225 ns
t
f
下降 时间 72 ns
∗
搏动: 脉冲波 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环
≤
2 %
PZT3906
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