PZT3906_集成电路资料查询网

PZT3906
小 信号 pnp 晶体管
初步的 数据
■
硅 外延的 planar pnp
晶体管
■
sot-223 塑料 包装 为
表面 挂载 电路
■
录音带 和 卷轴 包装
■
这 npn complementary 类型 是
PZT3904
产品
■
好 合适的 为 smd mother
板 组装
■
小 加载 转变 晶体管 和
高 增益 和 低 饱和
电压
®
内部的  图式  图解
六月 2002
1
2
2
3
sot-223
类型 标记
PZT3906 3906
绝对  最大  比率
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 (i
E
= 0) -60 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (i
B
= 0) -40 V
V
EBO
发射级-根基 电压 (i
C
= 0) -6 V
I
C
集电级 电流 -200 毫安
P
tot
总的 消耗 在 t
C
= 25
o
C1W
T
stg
存储 温度 -65 至 150
o
C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 150
o
C
1/4

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

PZT3906 小信号 pnp 晶体管初步的数据 ■ 硅外延的 planar pnp 晶体管 ■ sot-223 塑料包装为表面挂载电路 ■ 录音带和卷轴包装 ■ 这 npn complementary 类型是 PZT3904 产品 ■ 好合适的为 smd mother 板组装 ■ 小加载转变晶体管和高增益和低饱和电压 ® 内部的图式图解六月 2002 1 2 2 3 sot-223 类型标记 PZT3906 3906 绝对最大比率标识参数值单位 V CBO 集电级-根基电压 (i E = 0) -60 V V CEO 集电级-发射级电压 (i B = 0) -40 V V EBO 发射级-根基电压 (i C = 0) -6 V I C 集电级电流 -200 毫安 P tot 总的消耗在 t C = 25 o C1W T stg 存储温度 -65 至 150 o C T j 最大值运行接合面温度 150 o C 1/4

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com