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资料编号:561795
 
资料名称:bq29312PWR
 
文件大小: 310.31K
   
说明
 
介绍:
THREE AND FOUR CELL LITHIUM-LON ORLITHIUM-POLYMER BATTERY PROTECTION AFE
 
 


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slus546d −march 2003 − 修订 九月 2004
www.德州仪器.com
4
电的 特性
T
一个
= 25
°
c, c
(reg)
= 4.7
µ
f, bat = 14 v (除非 否则 指出)
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电流
I
CC1
供应 电流 1
非 加载 在 reg, tout, xalert, sclk,
和 sdata. zvchg = 止 ,vmen = 在,
60 90
AI
CC1
供应 电流 1
和 sdata. zvchg = 止 ,vmen = 在,
wdi 非 时钟, 选择 vc5 = vc4 = 0 v
T
一个
= −25
°
c 至 85
°
C 100
µ
一个
I
CC2
供应 电流 2
(取决于 的 vm
topology
选择)
非 加载 在 reg, tout, xalert, sclk,
和 sdata. zvchg = 止, vmen = 止,
wdi 非 时钟
T
一个
= −25
°
c 至 85
°
C 25 50
µ
一个
I
(睡眠)
睡眠 电流
非 加载 在 reg, tout, xalert, sclk,
和 sdata.
chg, dsg 和 zvchg = 止, reg = 在,
vmen = 止, wdi 非 时钟,
睡眠 = reg 或者 打开
T
一个
= −25
°
c 至 85
°
C 20 40
µ
一个
I
(ship)
ship 电流
reg, chg, dsg 和 zvchg = 止,
reg = 止, vmen = 止, wdi 非 时钟,
vpack= 0 v
T
一个
= −25
°
c 至 85
°
C 0.1 1.0
µ
一个
3.3 v ldo
8.0 v< bat 或者 包装
25 v, i
输出
25 毫安 −4% 3.3 2%
V
6.5 v< bat 或者 包装
8 v, i
输出
25 毫安 −9% 3.3 2%
V
V
(reg)
调整器 输出
电压
5.4 v
bat 或者 包装
6.5 v,
I
O
16 毫安
T
一个
=− 25
°
c 至 85
°
C
−9% 3.3 2% V
电压
4.5 v
bat 或者 包装
25 v,
I
O
2 毫安
−2% 3.3 2% V
V
(egtemp)
调整器 输出
改变 和
温度
5.4 v
BAT
25 v, i
O
= 2 毫安, T
一个
=− 25
°
c 至 85
°
C
±
0.2%
V
(regline)
线条 规章制度 5.4 v
bat 或者 包装
25 v, i
O
= 2 毫安 3 10 mV
V
(regload)
加载 规章制度
bat = 14 v, 0.2 毫安
I
O
2 毫安 7 15
mV
V
(regload)
加载 规章制度
bat = 14 v, 0.2 毫安
I
O
25 毫安 40 100
mV
I
最大值
电流 限制
bat = 14 v, reg = 3.0 v 25 100
mAI
最大值
电流 限制
bat = 14 v, reg = 0 v 12 50
毫安
cell 电压 监控
V
(cell
输出)
cell 输出
V
(cn)
– v
(cn
+
1)
= 0 v, 8.0 v
bat 或者 包装
25 v 0.975
VV
(cell
输出)
cell 输出
V
(cn)
– v
(cn
+
1)
= 4.5 v, 8.0 v
bat 或者 包装
25 v 0.3
V
REF cell 输出 模式
(1)
, 8.0 v
bat 或者 包装
25 v −1% 0.975 1% V
包装 cell 输出 模式
(2)
−5%
包装
/25
5% V
K cell 规模 因素
k = {cell 输出 (vc5 = 0.0 v, vc4 = 4.5 v)
−cell 输出 (vc5 = vc4 = 0.0 v)/ 4.5
0.147 0.150 0.153
K cell 规模 因素
k = {cell 输出 (vc2 = 13.5 v, vc1 = 18.0 v)
−cell 输出 (vc2 = vc1 = 13.5 v)/ 4.5
0.147 0.150 0.153
VICR
cell 输出
补偿 错误
cell 输出 (vc2 = 17.0 v, vc1 = 17.0 v)
cell 输出 (vc2 = vc1 = 0.0 v)
−1 mV
R
(bal)
cell balance
内部的
阻抗
rds
(在)
为 内部的 场效应晶体管 转变 在 v
DS
= 2.0 v 200 400 800
(1)
寄存器 地址 =0x04, b2(cal0) = b3(cal1) = 1, 寄存器 地址 = 0x03,b0(vmen) = 1
(2)
寄存器 地址 = 0x03, b1(packout) = 1, b0( vmen) = 1
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