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LTC1154
电容的 负载
大 电容的 负载, 此类 作 complex 电的 sys-
tems 和 大 绕过 电容, 应当 是 powered
使用 这 电路 显示 在 图示 3. 这 门 驱动 至 这
电源 场效应晶体管 是 passed 通过 一个 rc 延迟 网络,
r1 和 c1, 这个 非常 减少 这 转变-在 ramp 比率 的
这 转变. 和 自从 这 场效应晶体管 源 电压 跟随
这 门 电压, 这 加载 是 powered smoothly 和 慢速地
从 地面. 这个 dramatically 减少 这 开始-向上 cur-
rent 流 在 这 供应 电容(s) 这个, 在 转变,
减少 供应 过往旅客 和 准许 为 slower 触发
的 敏感的 电的 负载. (二极管, d1, 提供 一个 直接
path 为 这 ltc1154 保护 电路系统 至 quickly dis-
承担 这 门 在 这 事件 的 一个 在-电流 情况).
U
S
一个
O
PP
L
IC
在
I
WU
U
I 为 ATIO
lamp 负载
这 在-rush 电流 创建 用 一个 lamp 在 转变-在 能
是 10 至 20 时间 更好 比 这 评估 运行 电流.
这 电路 显示 在 图示 4 shifts 这 电流 限制
门槛 向上 用 一个 因素 的 11:1 (至 30a) 为 100ms 当
这 bulb 是 第一 转变 在. 这 电流 限制 然后 drops
向下 至 2.7a 之后 这 在-rush 电流 有 subsided.
图示 3. powering 大 电容的 负载
这 rc 网络, r
D
和 c
D
, 在 序列 和 这 流 sense
输入 应当 是 设置 至 trip 为基础 在 这 预期的 charac-
teristics 的 这 加载
之后
开始-向上. 和 这个 电路, 它 是
可能 至 电源 一个 大 电容的 加载 和 安静的 react
quickly 至 一个 在-电流 情况. 这 ramp 比率 在 这
输出 的 这 转变 作 它 lifts 止 地面 是 大概:
dv/dt = (v
门
– v
TH
)/(r1
×
c1)
和 因此 这 电流 流 在 这 电容 在
开始-向上 是 大概:
I
开始-向上
= c
加载
×
dv/dt
使用 这 值 显示 在 图示 3, 这 开始-向上 电流 是
较少 比 100ma 和 做 不 false-触发 这 流
sense 电路系统 这个 是 设置 在 2.7a 和 一个 1ms 延迟.
图示 5. 在-电流 关闭 时间 vs 场效应晶体管 电流
场效应晶体管 电流 (1 = 设置 电流)
1
0.01
在-电流 关闭 时间 (1 = rc)
10
10 100
ltc1154 • f05
1
0.1
selecting r
D
和 c
D
图示 5 是 一个 图表 的 normalized 在-电流 关闭
时间 相比 normalized 场效应晶体管 电流. 这个 图表 是
使用 至 选择 这 二 延迟 组件, r
D
和 c
D
,
这个 制造 向上 一个 简单的 rc 延迟 在 这 流 sense
电阻 和 这 流 sense 输入.
图示 4. lamp 驱动器 和 delayed 保护
IN
EN
STATUS
地
V
S
DS
G
SD
LTC1154
+
470
µ
F
MTP3055E
15V
12V
0.036
Ω
ltc1154 • f03
C
D
0.01
µ
F
R
D
100k
R
1
100k
R
2
100k
D1
1N4148
C
1
0.33
µ
F
+
C
加载
100
µ
F
输出
IN
EN
STATUS
地
V
S
DS
G
SD
LTC1154
+
470
µ
F
MTP3055EL
9.1v
12V
0.036
Ω
ltc1154 • f04
10k
1M
0.1
µ
F
VN2222LL
100k
12v/1a
BULB
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