ld 271, ld 271 h
ld 271 l, ld 271 hl
半导体 组 3 1997-11-01
Kennwerte
(
T
一个
= 25
°
c)
特性
Bezeichnung
描述
标识
标识
Wert
值
Einheit
单位
wellenlänge der strahlung
wavelength 在 顶峰 emission
I
F
= 100 毫安,
t
p
= 20 ms
λ
顶峰
950 nm
spektrale bandbreite bei 50 % von
I
最大值
谱的 带宽 在 50 % 的
I
最大值
I
F
= 100 毫安
∆λ
55 nm
Abstrahlwinkel
half 角度
ϕ±
25 Grad
deg.
aktive chipfläche
起作用的 碎片 范围
一个
0.25 mm
2
abmessungen der aktive chipfläche
维度 的 这 起作用的 碎片 范围
L
×
B
L
×
W
0.5
×
0.5 mm
abstand chipoberfläche bis linsenscheitel
距离 碎片 front 至 lens 顶
H
4.0 ... 4.6 mm
schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 毫安,
R
L
= 50
Ω
切换 时间,
I
e
从 10 % 至 90 % 和
从 90 % 至 10 %,
I
F
= 100 毫安,
R
L
= 50
Ω
t
r
,
t
f
1
µ
s
kapazität,
V
R
= 0 v,
f
= 1 mhz
电容
C
o
40 pF
Durchlaßspannung
向前 电压
I
F
= 100 毫安,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 一个,
t
p
= 100
µ
s
V
F
V
F
1.30
(≤
1.5)
1.90
(≤
2.5
)
V
V
sperrstrom,
V
R
= 5 v
反转 电流
I
R
0.01
(≤
1
)µ
一个
Gesamtstrahlungsfluß
总的 radiant 通量
I
F
= 100 毫安,
t
p
= 20 ms
Φ
e
18 mW
temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 毫安
温度 系数 的
I
e
或者
Φ
e
,
I
F
= 100 毫安
TC
I
– 0.55 %/k
temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 毫安
温度 系数 的
V
F
,
I
F
= 100 毫安
TC
V
– 1.5 mv/k
temperaturkoeffizient von
λ
,
I
F
= 100 毫安
温度 系数 的
λ
,
I
F
= 100 毫安
TC
λ
0.3 nm/k
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