半导体 组 1 1997-11-01
gaas-ir-lumineszenzdiode
gaas infrared 发射级
wesentliche merkmale
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gaas-ir-led, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
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hohe zuverlässigkeit
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hohe impulsbelastbarkeit
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lange anschlüsse
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gruppiert lieferbar
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gehäusegleich mit sfh 300, sfh 203
Anwendungen
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ir-fernsteuerung von fernseh- und
rundfunkgeräten, videorecordern,
Lichtdimmern
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Gerätefernsteuerungen
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lichtschranken für gleich- und
Wechsellichtbetrieb
特性
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gaas infrared 发出 二极管, fabricated 在 一个
liquid 阶段 epitaxy 处理
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高 可靠性
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高 脉冲波 处理 能力
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长 leads
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有 在 groups
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一样 包装 作 sfh 300, sfh 203
产品
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ir 偏远的 控制 的 hi-fi 和 tv-sets, video
录音带 recorders, dimmers
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偏远的 控制 的 各种各样的 设备
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Photointerrupters
ld 271, ld 271 h
ld 271 l, ld 271 hl
maße 在 mm, wenn nicht anders angegeben/维度 在 mm, 除非 否则 指定.
fex06628
7.8
7.5
9.0
8.2
29
27
1.8
1.2
4.8
4.2
ø5.1
ø4.8
0.8
0.4
0.6
0.4
2.54mm
间隔
5.9
5.5
0.6
0.4
范围 不 flat
碎片 位置
Cathode
approx. 重量 0.2 g
GEO06645
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
间隔
7.8
7.5
9.0
8.2
4.8
4.2
11.4
11.0
14.0
13.0
1.8
1.2
1.3
1.0
范围 不 flat
0.6
0.4
Cathode 碎片 位置
GEX06239
approx. 重量 0.5 g
1.0
0.7
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