0.195 (4.95)
0.040 (1.02)
NOM
0.305 (7.75)
0.240 (6.10)
0.215 (5.45)
0.020 (0.51)
sq. (2x)
涉及
表面
集电级
0.800 (20.3)
最小值
0.100 (2.54) nom
0.500 (1.25)
发射级
包装 维度
特性
• npn 硅 phototransistor
• 包装 类型: t-1 3/4
• notched 发射级: qed12x/qed22x/qed23x
• narrow reception 角度: 24°c
• daylight 过滤
• 包装 材料 和 颜色: 黑色 环氧的
• 高 敏锐的
注释:
1. 维度 为 所有 绘画 是 在 英寸 (mm).
2. 容忍 的 ± .010 (.25) 在 所有 非-名义上的 维度
除非 否则 指定.
塑料 硅 infrared
PHOTOTRANSISTOR
发射级
集电级
图式
描述
这 qsd122/123/124 是 一个 phototransistor encapsulated 在 一个 infrared transparent, 黑色 t-1 3/4 package.
QSD122 QSD123 QSD124
2001 仙童 半导体 公司
DS300361 7/20/01 1 的 4 www.fairchildsemi.com