参数 标识 比率 单位
运行 温度 T
OPR
-40 至 +100 °C
存储 温度 T
STG
-40 至 +100 °C
焊接 温度 (iron)
(2,3,4)
T
sol-i
240 为 5 秒 °C
焊接 温度 (流动)
(2,3)
T
sol-f
260 为 10 秒 °C
集电级-发射级 电压 V
CE
30 V
发射级-集电级 电压 V
EC
5V
电源 消耗
(1)
P
D
100 mW
绝对 最大 比率
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指定)
参数 测试 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
顶峰 敏锐的 wavelength
!
PS
— 880 — nm
reception 角度
"
— ±12 — deg.
集电级 发射级 dark 电流 V
CE
= 10 v, e
e
= 0 I
CEO
— — 100 nA
集电级 发射级 损坏 I
C
= 1 毫安 BV
CEO
30 — — V
发射级 集电级 损坏 I
E
= 100 µa BV
ECO
5——V
在-状态 集电级 电流
(5)
QSD122 1.00 — 6.00
QSD123 E
e
= 0.5 mw/cm
2
, v
CE
= 5 v I
c (在)
4.00 — 16.00 毫安
QSD124 6.00 — —
饱和 电压
(5)
E
e
= 0.5 mw/cm
2
, i
C
= 0.5 毫安 V
ce (sat)
— — 0.4 V
上升 时间
V
CC
= 5 v, r
L
= 100 v i
C
= 0.2 毫安
t
r
—7—
µs
下降 时间 t
f
—7—
电的 / 视力的 特性
(t
一个
=25°c)
便条:
1. 减额 电源 消耗 成直线地 1.33 mw/°c 在之上 25°c.
2. rma 通量 是 推荐.
3. methanol 或者 isopropyl alcohols 是 推荐 作 cleaning agents.
4. 焊接 iron
1/16”
(1.6mm) 最小 从 housing.
5.
!
= 880 nm, algaas.
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塑料 硅 infrared
PHOTOTRANSISTOR
QSD122 QSD123 QSD124