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资料编号:576784
 
资料名称:RF1S9540SM
 
文件大小: 59.77K
   
说明
 
介绍:
19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
 
 


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4-17
源 至 流 二极管 specifications
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
持续的 源 至 流 电流 I
SD
修改 场效应晶体管 标识
表明 这 integral re-
verse
p-n 接合面 二极管
- - -19 一个
脉冲波 源 至 流 电流
(便条 3)
I
SDM
- - -76 一个
源 至 流 二极管 电压 (便条 2) V
SD
T
C
= 25
o
c, i
SD
= -19a, v
GS
= 0v (图示 13) - - -1.5 V
反转 恢复 时间 t
rr
T
J
= 150
o
c, i
SD
= 19a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - 170 - ns
反转 恢复 承担 Q
RR
T
J
= 150
o
c, i
SD
= 19a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - 0.8 -
µ
C
注释:
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2%.
3. repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度. 看 瞬时 热的 阻抗 曲线 (图示 3).
4. V
DD
= 25v, 开始 t
J
= 25
o
c, l = 4mh, r
G
= 25
, 顶峰 I
= 19a. (计算数量 15, 16).
G
D
S
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
图示 1. NORMALIZED 电源 消耗 vs 情况
温度
图示 2. 最大 持续的 电流 vs
情况 温度
图示 3. normalized 最大 瞬时 热的 阻抗
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
25 50 75 100
125
150
175
0
电源 消耗 乘法器
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-5
0
25 75
125
I
D
, 流 电流 (一个)
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
-15
175
-10
-20
-20
t
1
, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
Z
θ
JC
, 瞬时
热的 阻抗 (
o
c/w)
10
-3
10
-2
1
10
-5
10
-4
0.01
0.1
单独的 脉冲波
0.1
0.02
0.2
0.5
0.01
0.05
P
DM
10
10
-1
1
注释:
职责 因素: d = t
1
/t
2
顶峰 t
J
= p
DM
x r
θ
JC
+ t
C
t
1
t
2
irf9540, rf1s9540sm
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