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资料编号:576784
 
资料名称:RF1S9540SM
 
文件大小: 59.77K
   
说明
 
介绍:
19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
 
 


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4-19
图示 10. NORMALIZED 损坏
电压 vs 接合面 温度
图示 11. 电容 vs 流 至 源 电压
图示 12. 跨导 vs 流 电流 图示 13. 源 至 流 二极管 电压
图示 14. 门 至 源 电压 vs 门 承担
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
-40 0 40 80 120 160
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
1.15
1.05
0.95
0.85
0.75
normalized 流 至 源
损坏 电压
I
D
= 250
µ
一个
2000
400
0
0
-20
-50
c, 电容 (pf)
1200
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
1600
800
-10
-30 -40
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
C
DS
+ c
GD
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
9
6
3
0
-20 -40
I
D
, 流 电流 (一个)
0
15
12
-60 -80 -100
g
fs
, 跨导 (s)
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0.4
1.0 1.2 1.6 1.80.6
V
SD
, 源 至 流 电压 (v)
0.8 1.4
0.1
1
10
I
SD
, 源 至 流 电流 (一个)
100
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
Q
g(tot)
, 门 承担 (nc)
V
GS
, 门 至 源 (v)
020406080
-10
- 5
0
V
DS
= -20v
V
DS
= -50v
V
DS
= -80v
I
D
= -19a
irf9540, rf1s9540sm
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