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资料编号:577175
 
资料名称:IRFBA22N50A
 
文件大小: 106.54K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.23ohm, Id=24A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRFBA22N50A
www.irf.com 7
p.w.
时期
di/dt
二极管 恢复
dv/dt
波纹
5%
身体 二极管 向前 漏出
re-应用
电压
反转
恢复
电流
身体 二极管 向前
电流
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
驱动器 门 驱动
d.u.t. i
SD
波形
d.u.t. v
DS
波形
inductor curent
d =
p. W .
时期
+
-
+
+
+
-
-
-
图 14.
为 n-频道 hexfet
®
电源 场效应晶体管
*
V
GS
= 5v 为 逻辑 水平的 设备
顶峰 二极管 恢复 dv/dt 测试 电路
R
G
V
DD
dv/dt 控制 用 r
G
驱动器 一样 类型 作 d.u.t.
I
SD
控制 用 职责 因素 "d"
d.u.t. - 设备 下面 测试
d.u.t
电路 布局 仔细考虑
低 偏离 电感
地面 平面
低 泄漏 电感
电流 变压器
*
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