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资料编号:577175
 
资料名称:IRFBA22N50A
 
文件大小: 106.54K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.23ohm, Id=24A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRFBA22N50A
8 www.irf.com
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
I
SD
23a, di/dt
123a/µs, v
DD
V
(br)dss
,
T
J
150
°
C
注释:
开始 t
J
= 25
°
c, l = 3.4mh
R
G
= 25
, i
= 24a. (看 图示 12)
脉冲波 宽度
300µs; 职责 循环
2%.
C
oss
eff. 是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 charging 时间
作 c
oss
当 v
DS
是 rising 从 0 至 80% v
DSS
123
3X
0.25 [.010] B 一个
B
4X
4
0.25 [
3.00 [.118]
2.50 [.099]
14.50 [.570]
13.00 [.512]
1.30 [.051]
0.90 [.036]
1.00 [.039]
0.70 [.028]
5.00 [.196]
4.00 [.158]
11.00 [.433]
10.00 [.394]
15.00 [.590]
14.00 [.552]
9.00 [.
8.00 [.
13.50 [.
12.50 [.
超级的-220
( 至-273aa ) 包装 外形
场效应晶体管IGBT
ir world 总部:
233 kansas st., el segundo, 加利福尼亚 90245, usa 电话: (310) 252-7105
tac 传真: (310) 252-7903
visit 美国 在 www.irf.com 为 销售 联系 信息
.
数据 和 规格 主题 至 改变 没有 注意. 12/00
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