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资料编号:577226
 
资料名称:RFD3055LESM
 
文件大小: 416.36K
   
说明
 
介绍:
11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
6-1
文件 号码
4044.3
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 静电释放 处理 程序.
pspice® 是 一个 注册 商标 的 microsim 公司.
1-888-intersil 或者 407-727-9207
|
版权
©
intersil 公司 1999
rfd3055le, rfd3055lesm, rfp3055le
11a, 60v, 0.107 ohm, 逻辑 level,
n-频道 电源 mosfets
这些 n-频道 增强-模式 电源 MOSFETs
制造的 使用 这 最新的 制造 处理
技术. 这个 处理, 这个 使用 特性 sizes
approaching 那些 的 lsi 电路, 给 最佳的 utilization
的 硅, 结果 在 优秀的 效能. 它们 是
设计 为 使用 在 产品 此类 作 切换
regulators, 切换 转换器, 发动机 驱动器 和 接转
驱动器. 这些 晶体管 能 是 运作 直接地 从
整体的 电路.
formerly developmental 类型 ta49158.
特性
11a, 60v
•r
ds(在)
= 0.107
温度 compensating pspice
®
模型
顶峰 电流 vs 脉冲波 宽度 曲线
uis 比率 曲线
related literature
- tb334 “guidelines 为 焊接 表面 挂载
组件 至 pc boards”
标识
包装
订货 信息
部分 号码 包装 BRAND
RFD3055LE 至-251aa F3055L
RFD3055LESM 至-252aa F3055L
RFP3055LE 至-220ab FP3055LE
便条: 订货, 使用 全部 部分 号码. 增加 后缀, 9a,
至 获得 这 至-252 variant 在 录音带 和 卷轴, e.g. rfd3055lesm9a.
D
G
S
电子元件工业联合会 至-220ab 电子元件工业联合会 至-251aa
电子元件工业联合会 至-252aa
流 (flange)
流 (flange)
流 (flange)
数据 薄板 十一月 1999
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