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资料编号:577226
 
资料名称:RFD3055LESM
 
文件大小: 416.36K
   
说明
 
介绍:
11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
6-2
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
rfd3055le, rfd3055lesm,
RFP3055LE 单位
流 至 源 电压 (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DSS
60 V
流 至 门 电压 (r
GS
= 20k
) (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DGR
60 V
门 至 源 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .v
GS
±
16 V
持续的 流 电流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
D
搏动 流 电流 (便条 3). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
DM
11
谈及 至 顶峰 电流 曲线
一个
单独的 脉冲波 avalanche 比率 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .E
谈及 至 uis 曲线
电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P
D
减额 在之上 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
38
0.25
W
w/
o
C
运行 和 存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
J
, t
STG
-55 至 175
o
C
最大 温度 为 焊接
leads 在 0.063in (1.6mm) 从 情况 为 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
包装 身体 为 10s, 看 techbrief 334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
pkg
300
260
o
C
o
C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 “Absolute 最大 Ratings” 导致 永久的 损坏 设备. 这个 一个 压力 仅有的 比率 运作
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1. T
J
= 25
o
c 至 150
o
c.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 损坏 电压 BV
DSS
I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v 60 - - V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
a1-3v
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 55v, v
GS
= 0v - - 1
µ
一个
V
DS
= 50v, v
GS
= 0v, t
C
= 150
o
C - - 250
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
16V - -
±
100 nA
流 至 源 在 阻抗 (便条 2) r
ds(在)
I
D
= 8a, v
GS
= 5v (图示 11) - - 0.107
转变-在 时间 t
V
DD
30v, i
D
= 8a,
V
GS
= 4.5v, r
GS
= 32
(计算数量 10, 18, 19)
- - 170 ns
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
-8 - ns
上升 时间 t
r
- 105 - ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-22 - ns
下降 时间 t
f
-39 - ns
转变-止 时间 t
- - 92 ns
总的 门 承担 Q
g(tot)
V
GS
= 0v 至 10v V
DD
= 30v, i
D
= 8a,
I
g(ref)
= 1.0ma
(计算数量 20, 21)
- 9.4 11.3 nC
门 承担 在 5v Q
g(5)
V
GS
= 0v 至 5v - 5.2 6.2 nC
门槛 门 承担 Q
g(th)
V
GS
= 0v 至 1v - 0.36 0.43 nC
输入 电容 C
ISS
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v, f = 1mhz
(图示 14)
- 350 - pF
输出 电容 C
OSS
- 105 - pF
反转 转移 电容 C
RSS
-23 - pF
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
- - 3.94
o
c/w
热的 阻抗 接合面 至 包围的 R
θ
JA
至-220ab - - 62
o
c/w
至-251aa, 至-252aa - - 100
o
c/w
源 至 流 二极管 specifications
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
源 至 流 二极管 电压 V
SD
I
SD
= 8a - 1.25 V
二极管 反转 恢复 时间 t
rr
I
SD
= 8a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - 66 ns
注释:
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300ms, 职责 循环
2%.
3. Repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 最大值 接合面 温度. 瞬时 热的 阻抗 曲线 (图示 3) 顶峰 电流
能力 曲线 (图示 5).
rfd3055le, rfd3055lesm, rfp3055le
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