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资料编号:577272
 
资料名称:RFD16N05SM
 
文件大小: 414.29K
   
说明
 
介绍:
16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4-422
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
图示 1. NORMALIZED 电源 消耗 vs 情况
TENPERATURE
图示 2. 最大 持续的 电流 vs
情况 温度
图示 3. normalized 最大 瞬时 热的 阻抗
图示 4. 向前 偏差 safe 运行 范围 图示 5. 顶峰 电流 能力
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
电源 消耗 乘法器
0
0 25 50 75 100 175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
8
4
0
25 50 75 100
125
150
12
I
D
, 流 电流 (一个)
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
16
175
20
t, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0.01
0.1
1
10
-5
10
1
10
-4
2
热的 阻抗
Z
θ
JC
, normalized
注释:
职责 因素: d = t
1
/t
2
顶峰 t
J
= p
DM
x z
θ
JA
x r
θ
JA
+ t
一个
P
DM
t
1
t
2
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
单独的 脉冲波
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
10
100
1
100
10
1
I
D
, 流 电流 (一个)
限制 用 r
ds(在)
范围 将 是
运作 在 这个
100
µ
s
10ms
1ms
直流
100ms
V
dss(最大值)
= 50v
T
C
= 25
o
C
单独的 脉冲波
T
J
= 最大值 评估
t, 脉冲波 宽度 (s)
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
100
I
DM
, 顶峰 电流 (一个)
200
跨导
将 限制 电流
在 这个 区域
I
=
I
25
175 - t
C
150
为 温度
在之上 25
o
c 减额 顶峰
电流 作 跟随:
V
GS
= 20v
V
GS
= 10v
T
C
= 25
o
C
rfd16n05, rfd16n05sm
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