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资料编号:577272
 
资料名称:RFD16N05SM
 
文件大小: 414.29K
   
说明
 
介绍:
16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
 
 


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4-423
便条: 谈及 至 intersil 应用 注释 an9321 和 an9322.
图示 6. unclamped inductive 切换
图示 7. 饱和 特性
图示 8. 转移 特性 图示 9. NORMALIZED
阻抗 vs 接合面 温度
图示 10. NORMALIZED 门槛 电压 vs
接合面 温度
图示 11. NORMALIZED 损坏
电压 vs 接合面 温度
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
0.1
110
10
0.01
100
1
I
, avalanche 电流 (一个)
t
AV
, 时间 在 avalanche (ms)
t
AV
= (l)(i
)/(1.3*rated bv
DSS
- v
DD
)
如果 r = 0
如果 r
0
t
AV
= (l/r)ln[(i
*r)/(1.3*rated bv
DSS
-v
DD
) +1]
开始 t
J
= 25
o
C
开始 t
J
= 150
o
C
0
10
20
0
1
234
30
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 4.5v
V
GS
= 5v
V
GS
= 7v
40
50
V
GS
= 8v
V
GS
= 10v
V
GS
= 20v
V
GS
= 6v
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
T
C
= 25
o
C
职责 循环 = 0.5% 最大值
0468102
0
10
20
30
I
ds(在)
, 流 至 源 电流 (一个)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
40
50
175
o
C
-55
o
C
25
o
C
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
DD
= 15v
0
0.5
1.0
1.5
2.0
-80 -40 0 40 80 120 160
normalized 流 至 源
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
200
2.5
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
V
GS
= 10v, i
D
= 16a
在 阻抗
职责 循环 = 0.5% 最大值
-80 -40 0 40 80 120
160
0
0.5
1.0
2.0
normalized 门
门槛 电压
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
200
1.5
V
GS
= v
DS
,
I
D
= 250
µ
一个
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-80 -40 0 40 80 120 160
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
损坏 电压
200
I
D
= 250
µ
一个
rfd16n05, rfd16n05sm
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