©2002 仙童 半导体 公司 rfd14n05, rfd14n05sm, rfp14n05 rev. b1
便条:谈及 至 仙童 应用 注释 an9321 和 an9322.
图示 6.unclamped inductive 切换
图示 7.饱和 特性
图示 8.转移 特性 图示 9.normalized 流 至 源 损坏
电压 vs 接合面 温度
图示 10.normalized 门 门槛 电压 vs
接合面 温度
图示 11.normalized 流 至 源 在
阻抗 vs 接合面 温度
典型 效能 曲线
除非 否则 指定
(持续)
0.1 1 10
10
0.01
50
1
t
AV
= (l)(i
作
)/(1.3*rated bv
DSS
- v
DD
)
如果 r = 0
If r
≠
0
t
AV
= (l/r)ln[(i
作
*r)/(1.3*rated bv
DSS
-v
DD
) +1]
I
一个S
,一个V一个L一个CHECURRENT(一个)
t
AV
, 时间 在 avalanche (ms)
开始 t
J
= 25
o
C
开始 t
J
= 150
o
C
0
5
10
15
0
2
4 6 8
20
25
I
D
,DR一个INCURRENT(一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 4.5v
V
GS
= 5v
V
GS
= 6v
V
GS
= 7v
V
GS
= 20v
30
35
V
GS
= 8v
V
GS
= 10v
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
T
C
= 25
o
C
0 4 6 8 102
0
5
10
15
20
25
175
o
C
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
DD
= 15v
I
D S(ON)
,DR一个INTOSOURCECURRENT(一个)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
-55
o
C
30
35
-25
o
C
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-80 -40 0 40 80 120 160
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
NORM一个LIZEDDR一个INTOSOURCE
BRE一个KDOWNVOLT一个GE
200
I
D
=250
µ
一个
-80 -40 0 40 80 120 160
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
GS (TH)
,NORM一个LIZEDG一个TE
THRESHOLDVOLT一个GE
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
200
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个
0
0.5
1.0
1.5
2.0
-80 -40 0 40 80 120 160
NORM一个LIZEDDR一个INTOSOURCE
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
200
2.5
ONRESIST一个NCE
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
GS
= 10v, id = 14a
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