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资料编号:577467
 
资料名称:RFL1N10L
 
文件大小: 29.9K
   
说明
 
介绍:
1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET
 
 


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3
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
图示 1. normalized 电源 消耗 vs 情况
温度
图示 2. 最大 持续的 流 电流 vs
情况 温度
图示 3. 向前 偏差 safe 运行 范围 图示 4. 饱和 特性
图示 5. 转移 特性 图示 6. 流 至 源 在 阻抗 vs 流
电流
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 25 50 75 100 125 150
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
电源 消耗 乘法器
1.2
0.8
0.4
0
25 50 75 100 125 150
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
I
D
, 流 电流 (一个)
0.6
0.2
1.0
10
1
0.1
0.01
1 10 100 1000
I
D
, 流 电流 (一个)
运作 在 这个 范围
将 是 限制 用 r
ds(在)
V
DS
, 流 至 源 (v)
T
C
= 25
o
C
3
2
1
0 345678 10
I
ds,
流 至 源 电流 (一个)
V
ds,
流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 3v
V
GS
= 2v
4
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环
2%
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 5v
V
GS
= 10v
921
V
GS
= 4v
0
5
6
8
7
I
d(在),
流 电流 (一个)
3
2
1
0
12 3 4
6
V
gs,
门 至 源 电压 (v)
4
5
-40
o
C
125
o
C
-40
o
C
25
o
C
125
o
C
6
5
V
DS
= 10v
职责 循环
2%
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
125
o
C
25
o
C
-40
o
C
V
GS
= 5v
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环
2%
r
ds(在),
流 至 源 在
I
d,
流 电流 (一个)
2
1
0
01234 5
阻抗 (
)
6
0.5
1.5
7
RFL1N10L
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