1
特性
• 1a, 100v
•r
ds(在)
= 1.200
Ω
描述
这个 是 一个 n-频道 增强 模式 硅 门 电源
field 效应 晶体管 specifically 设计 为 使用 和 逻辑
水平的 (5v) 驱动 来源 在 产品 此类 作 程序-
mable 控制者, automotive 切换, 和 solenoid driv-
ers. 这个 效能 是 accomplished 通过 一个 特定的
门 oxide 设计 这个 提供 全部 评估 传导 在
门 biases 在 这 3v 至 5v 范围, 因此 facilitating 真实
在-止 电源 控制 直接地 从 逻辑 电路 供应 volt-
ages.
formerly developmental 类型 ta09524.
标识
包装
电子元件工业联合会 至-205af
订货 信息
部分 号码 包装 BRAND
RFL1N10L 至-205af RFL1N10L
便条: 当 订货, 使用 这 全部 部分 号码.
G
D
S
流
(情况)
源
门
九月 1998
文件 号码
1510.3
RFL1N10L
1a, 100v, 1.200 ohm, 逻辑 level, n-channel
电源 场效应晶体管
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 静电释放 处理 程序.
http://www.intersil.com 或者 407-727-9207
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版权
©
intersil 公司 1999
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