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S
D
G
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.3 V T
J
= 25°c, i
S
= 20a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 72 110 ns T
J
= 25°c, i
F
= 20a
Q
rr
反转 恢复承担 ––– 180 280 nC di/dt = 100a/µs
t
在
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
源-流 比率 和 特性
35
140
V
DD
= 15v, 开始 t
J
= 25°c, l =470µh
R
G
= 25
Ω
, i
作
= 20a. (看 图示 12)
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%.
这个 是 应用 为 i-pak, l
S
的 d-pak 是 量过的 在
含铅的 和 中心 的 消逝 联系.
使用 irl3303 数据 和 测试 情况.
I
SD
≤
20a, di/dt
≤
140a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
175°C
注释:
caculated 持续的 电流 为基础 在 最大 容许的
接合面 温度; 包装 限制 电流 = 20a.
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 30 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.035 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
––– ––– 0.031 V
GS
= 10v, i
D
= 21a
––– ––– 0.045 V
GS
= 4.5v, i
D
= 17a
V
gs(th)
门 门槛 电压 1.0 ––– ––– V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 12 ––– ––– S V
DS
= 25v, i
D
= 20a
––– ––– 25
µA
V
DS
= 30v, v
GS
= 0v
––– ––– 250 V
DS
= 24v, v
GS
= 0v, t
J
= 150°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100
nA
V
GS
= 16v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= -16v
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 26 I
D
= 20a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 8.8 nC V
DS
= 24v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 15 V
GS
= 4.5v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 7.4 ––– V
DD
= 15v
t
r
上升 时间 ––– 200 –––
ns
I
D
= 20a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 14 ––– R
G
= 6.5
Ω,
V
GS
= 4.5v
t
f
下降 时间 ––– 36 ––– R
D
= 0.70
Ω,
看 图. 10
在 含铅的,
6mm (0.25in.)
从 包装
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容 ––– 870 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 340 ––– pF V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 170 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
nH
I
GSS
S
D
G
L
S
内部的 源 电感 ––– 7.5 –––
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
L
D
内部的 流 电感 –––
4.5
–––
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
Ω