关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:580772
资料名称:
IRLR3303PBF
文件大小: 307.21K
说明
:
介绍
:
HEXFET Power MOSFET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4
www.irf.com
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1
10
100
c, 电容 (pf)
DS
v , 流-至-源 电压 (v)
一个
v = 0v, f = 1mhz
c = c + c , c 短接
c = c
c = c + c
GS
iss gs gd ds
rss gd
oss ds gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
3
6
9
12
15
0
10203040
q , 总的 门 承担 (nc)
G
v , 门-至-源 电压 (v)
GS
一个
为 测试 电路
看 图示 13
v = 24v
v = 15v
i = 20a
DS
DS
D
1
10
100
1000
1
10
100
v , 流-至-源 电压 (v)
DS
i , 流 电流 (一个)
运作 在 这个 范围 限制
用 r
D
ds(在)
100µs
1ms
10ms
一个
t = 25°c
t = 175°c
单独的 脉冲波
C
J
10µs
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
t = 25°c
J
v = 0v
GS
v , 源-至-流 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
一个
t = 175°c
J
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com