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资料编号:580772
 
资料名称:IRLR3303PBF
 
文件大小: 307.21K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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
4 www.irf.com
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1 10 100
c, 电容 (pf)
DS
v , 流-至-源 电压 (v)
一个
v = 0v, f = 1mhz
c = c + c , c 短接
c = c
c = c + c
GS
iss gs gd ds
rss gd
oss ds gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
3
6
9
12
15
0 10203040
q , 总的 门 承担 (nc)
G
v , 门-至-源 电压 (v)
GS
一个
为 测试 电路
看 图示 13
v = 24v
v = 15v
i = 20a
DS
DS
D



1
10
100
1000
1 10 100
v , 流-至-源 电压 (v)
DS
i , 流 电流 (一个)
运作 在 这个 范围 限制
用 r
D
ds(在)
100µs
1ms
10ms
一个
t = 25°c
t = 175°c
单独的 脉冲波
C
J
10µs
1
10
100
1000
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
t = 25°c
J
v = 0v
GS
v , 源-至-流 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
一个
t = 175°c
J
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