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RN2407~RN2409
2001-06-07
1
toshiba 晶体管  硅 pnp 外延的 类型 (pct 处理)
rn2407,rn2408,rn2409
切换, 反相器 电路, 接口 电路
和 驱动器 电路 产品

和 建造-在 偏差 电阻器

使简化 电路 设计

减少 一个 quantity 的 部分 和 制造 处理

complementary 至 rn1407~1409
相等的 电路 
最大 比率
(ta = 25



c)
典型的 标识 比率 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
−
50 v
集电级-发射级 电压
RN2407~RN2409
V
CEO
−
50 v
RN2407
−
6
RN2408
−
7
发射级-根基 电压
RN2409
V
EBO
−
15
V
集电级 电流 I
C
−
100 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
200 mw
接合面 温度 T
j
150

C
存储 温度 范围
RN2407~RN2409
T
stg
−
5~150

C
电子元件工业联合会 至-236mod
eiaj sc-59
toshiba 2-3f1a
重量: 0.012g
单位: mm

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RN2407~RN2409 2001-06-07 1 toshiba 晶体管硅 pnp 外延的类型 (pct 处理) rn2407,rn2408,rn2409 切换, 反相器电路, 接口电路和驱动器电路产品  和建造-在偏差电阻器  使简化电路设计  减少一个 quantity 的部分和制造处理  complementary 至 rn1407~1409 相等的电路最大比率 (ta = 25    c) 典型的标识比率单位集电级-根基电压 V CBO − 50 v 集电级-发射级电压 RN2407~RN2409 V CEO − 50 v RN2407 − 6 RN2408 − 7 发射级-根基电压 RN2409 V EBO − 15 V 集电级电流 I C − 100 毫安集电级电源消耗 P C 200 mw 接合面温度 T j 150  C 存储温度范围 RN2407~RN2409 T stg − 5~150  C 电子元件工业联合会至-236mod eiaj sc-59 toshiba 2-3f1a 重量: 0.012g 单位: mm

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