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资料编号:582331
 
资料名称:RN2409
 
文件大小: 170.69K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
 
 


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RN2407~RN2409
2001-06-07
2
电的 特性
(ta = 25

c)
典型的 标识
测试
电路
测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
V
CB
=
50v, i
E
= 0
0.1
集电级 截-止
电流
RN2407~RN2409
I
CEO
V
CE
=
50v, i
B
= 0
0.5
nA
RN2407
V
EB
=
6v, i
C
= 0
0.081
0.15
RN2408
V
EB
=
7v, i
C
= 0
0.078
0.145
发射级 截-止
电流
RN2409
I
EBO
V
EB
=
15v, i
C
= 0
0.167
0.311
毫安
RN2407
80
RN2408
80
直流 电流 增益
RN2409
h
FE
V
CE
=
5v, i
C
=
10mA
70
集电级-发射级
饱和 电压
rn2407~rn2409 v
ce (sat)
I
C
=
5ma, i
B
=
0.25ma
0.1
0.3 V
RN2407
0.7
1.8
RN2408
1.0
2.6
输入 电压 (在)
RN2409
V
i (在)
V
CE
=
0.2v, i
C
=
5mA
2.2
5.8
V
RN2407
0.5
1.0
RN2408
0.6
1.16
输入 电压 (止)
RN2409
V
i (止)
V
CE
=
5v, i
C
=
0.1ma
1.5
2.6
V
转变
频率
rn2407~rn2409 f
T
V
CE
=
10v, i
C
=
5mA
200
MHz
集电级 输出
电容
rn2407~rn2409 c
ob
V
CB
=
10v, i
E
= 0,
f = 1mhz
3 6 pf
RN2407
7 10 13
RN2408
15.4 22 28.6
输入 电阻
RN2409
R1
32.9 47 61.1
k
RN2407
0.191 0.213 0.232
RN2408
0.421 0.468 0.515
电阻 比率
RN2409
r1/r2
1.92 2.14 2.35
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