■
电的 特性
(
Ta = 25˚C
)
s202se1/s202se2/s216se1/s216se2
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输入
向前 电压 V
F
I
F
= 20mA - 1.2 1.4 V
反转 电流 I
R
V
R
=3V - - 10
-4
一个
输出
repetitive 顶峰 止-状态 电流
I
DRM
V
D
=V
DRM
--10
-4
一个
在-状态 电压
S202SE1 / S202SE2
V
T
I
T
=2A
rms
- - 1.5
V
rms
I
T
= 16A
rms
- - 1.5
S216SE1 / S216SE2
支持 电流 I
H
---50ma
核心的 比率 的 上升 的 止-状态 电压
V
D
= 2/3v
DRM
30 - - v/
µ
s
核心的 比率 的 上升 的 commutating 止-状态 电压
5--v/
µ
s
零-交叉 电压
S202SE2 / S216SE2
V
OX
I
F
= 8mA - - 35 V
转移
charac-
teristics
最小 触发
电流
S202SE1 / S216SE1
I
FT
V
D
= 12v, r
L
=30
Ω
--8
毫安
V
D
= 6v, r
L
=30
Ω
--8
S202SE2 / S216SE2
分开 阻抗 R
ISO
10
10
--
Ω
转变-在 时间
S202SE1 / S216SE1
t
在
AC60Hz
--1
ms
- - 9.3
S202SE2 / S216SE2
转变-止 时间 t
止
AC60Hz - - 9.3 ms
热的 阻抗
(
在 接合面 和 情况
)
S202SE1 / S202SE2
R
th
(
j-c
)
- 4.5 -
˚c/w
- 3.3 -
S216SE1 / S216SE2
热的 阻抗
(
在 接合面 和 ambience
)
R
th
(
j-一个
)
- 40 - ˚c/w
*6 di
T
/dt = - 4.0a/ms
(
S202SE1 / S202SE2
)
dI
T
/dt = - 8.0a/ms
(
S216SE1 / S216SE2
)
- 20 0 20 40 60 80 100 120 140
0
1
2
3
4
-20 6020
0
0 40 80 100 140120
2
1
3
4
-
-
图.1-一个 rms 在-状态 电流 vs. 包围的
温度
(
S202SE1 / S202SE2
)
(
S216SE1 / S216SE2
)
图.1-b rms 在-状态 电流 vs.
包围的 温度
Tj = 125˚c, v
D
= 400v *6
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
rms 在-状态 电流 i
T
(
Arms
)
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
rms 在-状态 电流 i
T
(
Arms
)
dv/dt
(
dv/dt
)
c
dc500v, 40 至 60 % RH
: 点此下载
