s202se1/s202se2/s216se1/s216se2
12
14
16
10
18
最大 在-状态 电源 消耗
(
W
)
2
0
024681012
6
4
8
2
最大 在-状态 电源 消耗
(
W
)
40
0
2681210 14
18
10
6
4
8
14
12
16
16
- 25 0 25 50 75 100 125
0
2
4
6
8
10
12
8
25-25
0
2
0
4
6
10050 75 125
10
12
图.6-一个 最大 在-状态 电源 消耗 vs.
rms 在-状态 电流
(
S202SE1 / S202SE2
)
/ S216SE2
)
图.6-b 最大 在-状态 电源 消耗 vs.
rms 在-状态 电流
图.7-b 最小 触发 电流 vs.
包围的 温度
(
典型 值
)
(
S202SE2 / S216SE2
)
图.7-一个 最小 触发 电流 vs.
包围的 温度
(
典型 值
)
(
S202SE1 / S216SE1
)
rms 在-状态 电流 i
T
(
Arms
)
T
一个
= 25˚C
T
一个
= 25˚C
rms 在-状态 电流 i
T
(
Arms
)
V
D
= 12V
R
L
=30
Ω
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
最小 触发 电流 i
FT
(
毫安
)
V
D
=6V
R
L
=30
Ω
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
最小 触发 电流 i
FT
(
毫安
)
(
S216SE1
- 25 0 25 50 75 100 125 - 25 500 25 10075 125
包围的 温度
(
典型 值
)
(
S202SE1 / S202SE2
)
包围的 温度
(
典型 值
)
(
S216SE1 / S216SE2
)
图.8-b repetitive 顶峰 止-状态 电流 vs.图.8-一个 repetitive 顶峰 止-状态 电流 vs.
S202SE2
S202SE1
S216SE2
S216SE1
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
repetitive 顶峰 止-状态 电流 i
DRM
(
一个
)
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
V
D
= 600V
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
V
D
= 600V
repetitive 顶峰 止-状态 电流 i
DRM
(
一个
)
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
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