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资料编号:590514
 
资料名称:AS4C256K16E0
 
文件大小: 644.84K
   
说明
 
介绍:
5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)
 
 


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®
AS4C256K16E0
4/11/01; v.1.1
alliance 半导体
6 的 24
edo 页 模式 循环
shaded areas 包含 进步 信息.
refresh 循环
shaded areas 包含 进步 信息.
输出 使能
shaded areas 包含 进步 信息.
自 refresh 循环
shaded areas 包含 进步 信息.
标准
标识 参数
-30 -35 -50
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
PC
或者
写 循环 时间
12 –14–25–ns 14
t
CAP
进入 时间 从
CAS
precharge 19 21 23 ns 13
t
CP
CAS
precharge 时间 3 –4–5–ns
t
PCM
edo 页 模式 rmw 循环 56 –58–60–ns
t
CRW
页 模式
CAS
脉冲波 宽度 (rmw) 44 –46–50–ns
t
RASP
RAS
脉冲波 宽度 30 75K 35 75K 50 75K ns
标准
标识
参数
-30 -35 -50
单位 注释最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
CSR
CAS建制 时间 (cas-在之前-ras)
10 10 10 ns 3
t
CHR
CAS
支撑 时间 (
CAS
-在之前-ras) 7 8 10 ns 3
t
RPC
RASprecharge 至
CAS
支撑 时间 0 0 0 ns
t
CPT
CAS
precharge 时间
(
CAS
-在之前-ras计数器 测试)
8 8 8 ns
标准
标识 参数
-30 -35 -50
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
ROH
RAS支撑 时间 关联 至 oe
5 –5–5–ns
t
OEA
OE
进入 时间 10 10 10 ns
t
OED
OE
至 数据 延迟 5 –5–8–ns
t
OEZ
输出 缓存区 turnoff 延迟 从
OE
8–8–8ns 8
t
OEH
OE
command 支撑 时间 8 –8–8–ns
标准
标识 参数
-30 -35 -50
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
RASS
RAS脉冲波 宽度
(cbr 自 refresh)
100K 100K 100K ns
t
RPS
RASprecharge 时间
(cbr 自 refresh)
85 –8585–ns
t
CHS
CAS
支撑 时间
(cbr 自 refresh)
30 –3030–ns
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