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AS4C256K16E0
5v 256k×16 cmos dram (edo)
4/11/01; v.1.1
alliance 半导体
1 的 24
特性
• organization: 262,144 words × 16 位
•high 速
- 30/35/50 ns ras
进入 时间
- 16/18/25 ns column 地址 进入 时间
- 7/10/10/10 ns cas
进入 时间
• 低 电源 消耗量
- 起作用的: 500 mw 最大值 (as4c256k16e0-25)
- 备用物品: 3.6 mw 最大值, cmos i/o (as4c256k16e0-25)
•edo 页 模式
• Refresh
- 512 refresh 循环, 8 ms refresh 间隔
-ras
-仅有的 或者 cas-在之前-rasrefresh 或者 自-refresh
- 自-refresh 选项 是 有 为 新 一代 设备
仅有的. 联系 alliance 为 更多 信息.
• 读-modify-写
• ttl-兼容, 三-状态 i/o
• 电子元件工业联合会 标准 包装
- 400 mil, 40-管脚 soj
- 400 mil, 40/44-管脚 tsop ii
• 5v 电源 供应
• 获得-向上 电流 > 200 毫安
管脚 arrangement
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
地
i/o15
i/o14
i/o13
i/o12
地
i/o11
i/o10
i/o9
i/o8
AS4C256K16E0
SOJ
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Vcc
i/o0
i/o1
i/o2
i/o3
Vcc
i/o4
i/o5
i/o6
i/o7
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
NC
NC
我们
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
Vcc
V
CC
i/o0
i/o1
i/o2
i/o3
V
CC
i/o4
i/o5
i/o6
i/o7
NC
NC
我们
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
地
i/o15
i/o14
i/o13
i/o12
地
i/o11
i/o10
i/o9
i/o8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
地
44
43
42
41
40
39
38
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36
35
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30
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25
24
23
1
2
3
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5
6
7
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9
10
13
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20
21
22
tsop ii
AS4C256K16E0
管脚 designation
管脚(s) 描述
a0 至 a8 地址 输入
RAS
行 地址 strobe
i/o0 至 i/o15 输入/输出
OE
输出 使能
UCAS
column 地址 strobe, upper 字节
LCAS
column 地址 strobe, 更小的 字节
我们
读/写 控制
V
CC
电源 (5v
±
0.5v)
地 地面
选择 手册
shaded areas 包含 进步 信息.
标识 as4c256k16e0-30 as4c256k16e0-35 as4c256k16e0-50 单位
最大
RAS
进入 时间
t
RAC
30 35 50 ns
最大 column 地址 进入 时间
t
CAA
16 18 25 ns
最大
CAS
进入 时间
t
CAC
10 10 10 ns
最大 输出 使能 (
OE
) 进入 时间
t
OEA
10 10 10 ns
最小 读 或者 写 循环 时间
t
RC
65 70 85 ns
最小 edo 页 模式 循环 时间
t
PC
12 14 25 ns
最大 运行 电流
I
CC1
180 160 140 毫安
最大 cmos 备用物品 电流
I
CC2
2.0 2.0 2.0 毫安
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